يشترى IXTP52P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTP52P10P
- رقم القطعة:
- IXTP52P10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18408 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTP52P10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP52P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP52P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | PolarP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTP52P10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2845pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 52A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP52P10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HUF75309T3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223 | تحقيق |
 |
PMN30UNX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SC-74 | تحقيق |
 |
IXTP50N20PM | IXYS | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP54N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 54A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP50N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 | تحقيق |
 |
DMTH3004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 21A TO252 | تحقيق |
|
IXTP5N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 | تحقيق |
 |
FQB7P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK | تحقيق |
 |
NTE4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 | تحقيق |
|
IXTP5N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220 | تحقيق |
 |
BSZ050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
PHB143NQ04T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IXTP55N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP56N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 56A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | تحقيق |
 |
FCA47N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P | تحقيق |
 |
STU70N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 25V 48A IPAK | تحقيق |
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | تحقيق |
|
IXTP50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP50N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog