العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTQ170N10P
IXTQ170N10P
IXTQ170N10P
رقم القطعة:
IXTQ170N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12170 Pieces
ورقة البيانات:
IXTQ170N10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTQ170N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTQ170N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTQ170N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):715W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTQ170N10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:198nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:170A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTQ170N10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTQ180N055T Image IXTQ180N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P تحقيق
IXTQ102N25T Image IXTQ102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P تحقيق
IXTQ160N085T Image IXTQ160N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P تحقيق
IXTQ182N055T Image IXTQ182N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P تحقيق
IXTQ102N15T Image IXTQ102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P تحقيق
IXTQ130N10T Image IXTQ130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P تحقيق
IXTQ150N06P Image IXTQ150N06P IXYS MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P تحقيق
IXTQ110N10P Image IXTQ110N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P تحقيق
IXTQ130N15T Image IXTQ130N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P تحقيق
IXTQ14N60P Image IXTQ14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P تحقيق
IXTQ18N60P Image IXTQ18N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P تحقيق
IXTQ140N10P Image IXTQ140N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P تحقيق
IXTQ160N075T Image IXTQ160N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P تحقيق
IXTQ120N15P Image IXTQ120N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P تحقيق
IXTQ150N15P Image IXTQ150N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P تحقيق
IXTQ16N50P Image IXTQ16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P تحقيق
IXTQ160N10T Image IXTQ160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P تحقيق
IXTQ180N10T Image IXTQ180N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P تحقيق
IXTQ102N20T Image IXTQ102N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 102A TO3P تحقيق
IXTQ10P50P Image IXTQ10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار