العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTR170P10P
IXTR170P10P
IXTR170P10P
رقم القطعة:
IXTR170P10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14798 Pieces
ورقة البيانات:
IXTR170P10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTR170P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTR170P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTR170P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:13 mOhm @ 85A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):312W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTR170P10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:12600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:240nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 108A (Tc) 312W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:108A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTR170P10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFR3704ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 60A DPAK تحقيق
IRFS7730PBF Image IRFS7730PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK تحقيق
IRFP460 Image IRFP460 STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 تحقيق
SCT3080ALGC11 Image SCT3080ALGC11 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 650V 30A TO247 تحقيق
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE تحقيق
VP2110K1-G Image VP2110K1-G Microchip Technology MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3 تحقيق
IXTR102N65X2 Image IXTR102N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 تحقيق
IXTR16P60P Image IXTR16P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 تحقيق
IRF3708PBF Image IRF3708PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB تحقيق
STR2N2VH5 Image STR2N2VH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 تحقيق
IXTR140P10T Image IXTR140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247 تحقيق
IPP50R380CE Image IPP50R380CE Infineon Technologies MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220 تحقيق
IXTL2N450 Image IXTL2N450 IXYS MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK تحقيق
NX3008NBKMB,315 Image NX3008NBKMB,315 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN تحقيق
FQP6N50C Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220 تحقيق
STL8N65M5 Image STL8N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT تحقيق
IXTR120P20T Image IXTR120P20T IXYS MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247 تحقيق
IRF840ASTRL Image IRF840ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK تحقيق
BSP171PL6327HTSA1 Image BSP171PL6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 تحقيق
PSMN5R6-100BS,118 Image PSMN5R6-100BS,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار