العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTR210P10T
IXTR210P10T
IXTR210P10T
رقم القطعة:
IXTR210P10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13542 Pieces
ورقة البيانات:
IXTR210P10T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTR210P10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTR210P10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTR210P10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8 mOhm @ 105A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):595W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTR210P10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:69500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:740nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 195A (Tc) 595W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTR210P10T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CSD16340Q3 Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 60A 8SON تحقيق
FDA24N50F Image FDA24N50F Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 تحقيق
RJK4002DPD-00#J2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 400V 3A MP3A تحقيق
IRF3717PBF Image IRF3717PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC تحقيق
IXFH75N10 Image IXFH75N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD تحقيق
IRL3705NS Image IRL3705NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK تحقيق
IXTR20P50P Image IXTR20P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 تحقيق
STP21NM60ND Image STP21NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 تحقيق
IXTT50P085 Image IXTT50P085 IXYS MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 تحقيق
2SK3827 Image 2SK3827 ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 تحقيق
STLD200N4F6AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6 تحقيق
DMP3098LDM-7 Image DMP3098LDM-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 4A SOT-26 تحقيق
IXTR200N10P Image IXTR200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 تحقيق
AUIRLR024N Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 17A DPAK تحقيق
SI4446DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC تحقيق
AON6380 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN تحقيق
STP7NK30Z Image STP7NK30Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 300V 5A TO-220 تحقيق
HUFA75339S3ST Image HUFA75339S3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
SIHP38N60E-GE3 Image SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB تحقيق
VN10KN3-G Microchip Technology MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 تحقيق

Latest الأخبار