يشترى IXTV200N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTV200N10T
- رقم القطعة:
- IXTV200N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13199 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTV200N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTV200N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTV200N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS220 |
| سلسلة: | TrenchMV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 550W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3, Short Tab |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTV200N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 152nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTV200N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTV200N10TS | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
IXTV250N075TS | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
IXTV280N055TS | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD | تحقيق |
 |
IXTV26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV22N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
|
IXTV26N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
IXTV250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTV230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220 | تحقيق |
|
IXTV26N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
IXTV280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 | تحقيق |
 |
BUK754R3-75C,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3 | تحقيق |
|
IXTV22N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
IXTV230N085TS | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog