يشترى IXTX22N100L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTX22N100L
- رقم القطعة:
- IXTX22N100L
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15313 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTX22N100L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTX22N100L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTX22N100L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 600 mOhm @ 11A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTX22N100L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 270nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTX22N100L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR | تحقيق |
 |
IXTX20N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 | تحقيق |
 |
STD78N75F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 75V 70A DPAK | تحقيق |
 |
IRLR3105TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | تحقيق |
 |
IXTQ150N06P | IXYS | MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P | تحقيق |
 |
DMN3033LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | تحقيق |
|
IXTX210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247 | تحقيق |
|
IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
 |
SI8475EDB-T1-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | تحقيق |
 |
IRFR9310PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK | تحقيق |
 |
PMZ950UPELYL | Nexperia USA Inc. | 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET | تحقيق |
 |
IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
|
IXTX24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | تحقيق |
|
IXTX200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | تحقيق |
 |
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | تحقيق |
|
IXFX150N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | تحقيق |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | تحقيق |
 |
IRF720L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-262 | تحقيق |
|
SUM40N15-38-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFPC50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog