يشترى IXTY08N100D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTY08N100D2
- رقم القطعة:
- IXTY08N100D2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14822 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTY08N100D2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTY08N100D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTY08N100D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 60W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTY08N100D2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 325pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.6nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 800mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTY08N100D2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | تحقيق |
|
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | تحقيق |
 |
PMR670UPE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75 | تحقيق |
 |
IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | تحقيق |
|
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | تحقيق |
 |
IXTA4N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 | تحقيق |
|
IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | تحقيق |
|
IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | تحقيق |
 |
2SJ0536G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 | تحقيق |
 |
NDD60N745U1T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3 | تحقيق |
|
IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog