العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > IXXX200N65B4
IXXX200N65B4
IXXX200N65B4
رقم القطعة:
IXXX200N65B4
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17082 Pieces
ورقة البيانات:
IXXX200N65B4.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXXX200N65B4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXXX200N65B4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXXX200N65B4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):650V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:1.7V @ 15V, 160A
اختبار حالة:400V, 100A, 1 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:62ns/245ns
تحويل الطاقة:4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:GenX4™, XPT™
السلطة - ماكس:1150W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXXX200N65B4
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:PT
بوابة المسؤول:553nC
وصف موسع:IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole PLUS247™-3
وصف:IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):1000A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):370A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXXX200N65B4

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi Corporation IGBT 600V 65A 290W TO-247 تحقيق
IXXX200N60C3 Image IXXX200N60C3 IXYS IGBT 600V 200A PLUS247 تحقيق
IRG4RC10STRRPBF Infineon Technologies IGBT 600V 14A 38W DPAK تحقيق
IRGS4615DTRRPBF Image IRGS4615DTRRPBF Infineon Technologies IGBT 600V 23A 99W D2PAK تحقيق
IRG7CH81K10EF Infineon Technologies IGBT 1200V ULTRA FAST DIE تحقيق
IXGP15N120C Image IXGP15N120C IXYS IGBT 1200V 30A 200W TO220AB تحقيق
APT50GN120L2DQ2G Image APT50GN120L2DQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 134A 543W TO264 تحقيق
STGFW30H65FB Image STGFW30H65FB STMicroelectronics IGBT 650V 60A 58W TO3PF تحقيق
IXYP20N65C3D1M Image IXYP20N65C3D1M IXYS IGBT 650V 18A 50W TO220 تحقيق
STGP8NC60KD Image STGP8NC60KD STMicroelectronics IGBT 600V 15A 65W TO220 تحقيق
RJH60F5DPK-00#T0 Image RJH60F5DPK-00#T0 Renesas Electronics America IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P تحقيق
HGTG20N60B3D Image HGTG20N60B3D Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 40A 165W TO247 تحقيق
NGTB40N60FLWG Image NGTB40N60FLWG ON Semiconductor IGBT 600V 80A 257W TO247 تحقيق

Latest الأخبار