يشترى IXYH50N120C3D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYH50N120C3D1
- رقم القطعة:
- IXYH50N120C3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 90A 625W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15411 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYH50N120C3D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYH50N120C3D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYH50N120C3D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 4V @ 15V, 50A |
| اختبار حالة: | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 28ns/133ns |
| تحويل الطاقة: | 3mJ (on), 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXYH) |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 195ns |
| السلطة - ماكس: | 625W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYH50N120C3D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 142nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 90A 625W Through Hole TO-247 (IXYH) |
| وصف: | IGBT 1200V 90A 625W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 210A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 90A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYH50N120C3D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXYH50N170C | IXYS | IGBT 1700V 178A TO247 | تحقيق |
 |
IXYH50N65C3H1 | IXYS | IGBT 650V 130A 600W TO247 | تحقيق |
 |
SGL50N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 250W TO264 | تحقيق |
 |
IRGSL4062DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 48A 250W TO262 | تحقيق |
|
IXYH50N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 100A 750W TO247AD | تحقيق |
 |
RJP60F5DPK-01#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 80A 260.4W | تحقيق |
|
IXYH50N65C3 | IXYS | IGBT 650V 130A 600W TO247 | تحقيق |
 |
RGTH60TS65GC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 58A 197W TO-247N | تحقيق |
 |
IXGT39N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 76A 200W TO268 | تحقيق |
 |
SGS10N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 16A 55W TO220F | تحقيق |
 |
AUIRGP35B60PD | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 308W TO247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog