يشترى IXYP8N90C3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYP8N90C3
- رقم القطعة:
- IXYP8N90C3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 900V 20A 125W TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12857 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYP8N90C3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYP8N90C3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYP8N90C3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 900V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 8A |
| اختبار حالة: | 450V, 8A, 30 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/40ns |
| تحويل الطاقة: | 460µJ (on), 180µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| السلطة - ماكس: | 125W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYP8N90C3 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 13.3nC |
| وصف موسع: | IGBT 900V 20A 125W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | IGBT 900V 20A 125W TO220 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 48A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYP8N90C3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FGA30N65SMD | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 | تحقيق |
 |
NGTB40N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 366W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PSH71KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 78A 350W SUPER247 | تحقيق |
 |
IXSR40N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 70A 170W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXGT30N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | تحقيق |
|
IXGR35N120D1 | IXYS | IGBT 1200V ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXYH50N170C | IXYS | IGBT 1700V 178A TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PH30KPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 20A 100W TO247AC | تحقيق |
 |
IXYP8N90C3D1 | IXYS | IGBT 900V 20A 125W TO220 | تحقيق |
 |
SGB15N60HSATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 27A 138W TO263-3 | تحقيق |
|
NGTB40N65IHL2WG | ON Semiconductor | IGBT 650V 40A TO-247 | تحقيق |
 |
IRG7PH35UD1-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 179W TO247 | تحقيق |
 |
IHY30N160R2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3 | تحقيق |
 |
FGH25T120SMD_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 428W TO247-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog