J309_D26Z - Fairchild/ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف J309_D26Z

J309_D26Z

رقم القطعة:: J309_D26Z

الصانع:: Fairchild/ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V 30MA TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15660 Pieces

ورقة البيانات:: J309_D26Z.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل J309_D26Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك J309_D26Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى J309_D26Z مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	10V
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
الضوضاء الشكل:	3dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	J309_D26Z
ربح:	12dB
تردد:	450MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET 10V 10mA 450MHz 12dB TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V 30MA TO92
التصويت الحالي:	30mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لJ309_D26Z

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BF998,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143	تحقيق
BLF25M612G,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	تحقيق
IXZR16N60	IXYS	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	تحقيق
J309_D27Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق
PTFA212401F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2	تحقيق
BF1201WR,135	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R	تحقيق
MRF7S21170HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	تحقيق
MRF6V2010GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-270-2	تحقيق
STAC2942BW	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	تحقيق
J309_D74Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق
ON5234,118	NXP USA Inc.	MOSFET RF SOT404 D2PAK	تحقيق
ARF441	Microsemi Corporation	PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD	تحقيق
J309	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار