J309G - ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف J309G - BYCHIPS

J309G

رقم القطعة:: J309G

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V 30MA TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17386 Pieces

ورقة البيانات:: J309G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل J309G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك J309G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى J309G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	10V
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	J309G
ربح:	16dB
تردد:	100MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET 10V 10mA 100MHz 16dB TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V 30MA TO92
التصويت الحالي:	30mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لJ309G

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	AFT09H310-03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S	تحقيق
	BLF184XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A	تحقيق
	MRFE6S9205HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ NI-880S	تحقيق
	SD2933	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177	تحقيق
	PTFB211503ELV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
	BLA6G1011-200R,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A	تحقيق
	MRF5S21150HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	تحقيق
	MRF9135LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-780	تحقيق
	MRFE6VP6600NR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 600W 50V	تحقيق
	MRFE6S8046GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 894MHZ TO-270-4	تحقيق
	BLP7G22-10,135	NXP USA Inc.	TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON	تحقيق
	J309	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 30MA TO92	تحقيق
	PTFA041501GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2	تحقيق
	ATF-58143-TR1G	Broadcom Limited	FET RF 5V 2GHZ SOT-343	تحقيق

Latest الأخبار