يشترى JAN1N1190R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N1190R
- رقم القطعة:
- JAN1N1190R
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15877 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N1190R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N1190R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N1190R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.4V @ 110A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-5 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-16246 1086-16246-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N1190R |
| وصف موسع: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard, Reverse Polarity |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 35A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N1190R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | تحقيق |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | تحقيق |
|
JAN1N1615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1615R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1206AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | تحقيق |
|
JAN1N1614R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog