يشترى JAN1N3595AUR-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N3595AUR-1
- رقم القطعة:
- JAN1N3595AUR-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GP 125V 150MA DO213AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13306 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N3595AUR-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N3595AUR-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N3595AUR-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 920mV @ 100mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 125V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-213AA |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 3µs |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-213AA |
| اسماء اخرى: | 1086-16790 1086-16790-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N3595AUR-1 |
| وصف موسع: | Diode Standard 125V 150mA Surface Mount DO-213AA |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GP 125V 150MA DO213AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2nA @ 125V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 150mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3595AUR-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | تحقيق |
 |
JAN1N3029DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 24V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
 |
JAN1N3042D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 82V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3039B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 62V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3028D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 22V 1W DO41 | تحقيق |
 |
JAN1N3174 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 300A DO205 | تحقيق |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
|
JAN1N3034B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 39V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3038D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 56V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3019BUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog