يشترى JAN1N3671AR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N3671AR
- رقم القطعة:
- JAN1N3671AR
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12508 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N3671AR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N3671AR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N3671AR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.35V @ 38A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 800V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-203AA (DO-4) |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| اسماء اخرى: | 1086-16804 1086-16804-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N3671AR |
| وصف موسع: | Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N3671AR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3671R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3673A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3673AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N3671A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N3042D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 82V 1W DO41 | تحقيق |
|
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3613 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3645 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | تحقيق |
|
JAN1N3646 | Microsemi Corporation | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N3614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog