يشترى JAN1N5811US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N5811US
- رقم القطعة:
- JAN1N5811US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19235 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N5811US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N5811US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N5811US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 150V |
| تجار الأجهزة حزمة: | B, SQ-MELF |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, B |
| اسماء اخرى: | 1086-2127 1086-2127-MIL Q9178857 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N5811US |
| وصف موسع: | Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 150V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N5811US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5807US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | تحقيق |
|
JAN1N5811URS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | تحقيق |
|
JAN1N5811 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5807 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | تحقيق |
|
JAN1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | تحقيق |
 |
JAN1N5822 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5806URS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | تحقيق |
|
JAN1N5802URS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | تحقيق |
 |
JAN1N5819UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | تحقيق |
|
JAN1N5804URS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | تحقيق |
|
JAN1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog