يشترى JAN1N6631US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N6631US
- رقم القطعة:
- JAN1N6631US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12988 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N6631US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N6631US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N6631US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.6V @ 1.4A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1100V (1.1kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5B |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 60ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, E |
| اسماء اخرى: | 1086-20001 1086-20001-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N6631US |
| وصف موسع: | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 4µA @ 1100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1.4A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6631US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6660DT1 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | تحقيق |
|
JAN1N6639 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6638US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6639US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6638 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6630US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6631 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL | تحقيق |
 |
JAN1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | تحقيق |
|
JAN1N6626 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6630 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6631U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6638U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6640US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6630U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog