يشترى JAN1N6642UBCA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN1N6642UBCA
- رقم القطعة:
- JAN1N6642UBCA
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA UB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19816 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN1N6642UBCA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN1N6642UBCA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN1N6642UBCA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 75V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-UB (3.09x2.45) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/578 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 5ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 3-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | 1086-20031 1086-20031-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 40 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN1N6642UBCA |
| وصف موسع: | Diode Standard 75V 300mA Surface Mount 3-UB (3.09x2.45) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 75V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 300mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN1N6642UBCA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6640US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6642 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6642UB2R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JAN1N6642UBCC | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6642UBD | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
|
JAN1N6641 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6640 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL | تحقيق |
|
JAN1N6643US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF | تحقيق |
 |
JAN1N6642US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
|
JAN1N6641US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | تحقيق |
|
JAN1N6642U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D | تحقيق |
|
JAN1N6642UB2 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2 | تحقيق |
|
JAN1N6642UB | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA UB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog