يشترى JAN2N6384 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN2N6384
- رقم القطعة:
- JAN2N6384
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN DARL 60V 10A TO3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18805 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN2N6384.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN2N6384 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN2N6384 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 60V |
|---|---|
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 3V @ 100mA, 10A |
| نوع الترانزستور: | NPN - Darlington |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-204AA (TO-3) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/523 |
| السلطة - ماكس: | 6W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-204AA, TO-3 |
| اسماء اخرى: | 1086-21111 1086-21111-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JAN2N6384 |
| تردد - تحول: | - |
| وصف موسع: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3) |
| وصف: | TRANS NPN DARL 60V 10A TO3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 1000 @ 5A, 3V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N6384
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6353 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JAN2N6802 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6306 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 250V 8A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6796 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6385 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 80V 10A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6678 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 400V 15A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6308 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 350V 8A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6251T1 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 350V 10A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6383 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 40V 10A TO-33 | تحقيق |
|
JAN2N6766T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
 |
JAN2N6351 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JAN2N6350 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 80V 5A TO33 | تحقيق |
|
JAN2N6300 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 | تحقيق |
|
JAN2N657 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 100V 0.02A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog