يشترى JAN2N6790U مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN2N6790U
- رقم القطعة:
- JAN2N6790U
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 18-LCC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17658 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN2N6790U.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN2N6790U ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN2N6790U عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/555 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 800mW (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 18-BQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | JAN2N6790U-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN2N6790U |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 2.8A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 18-LCC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N6790U
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6796 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6770 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6796U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6782U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6768 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6798U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6756 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6766T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
|
JAN2N6762 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6798 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6788U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6784 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6758 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-204AE TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6788 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog