يشترى JAN2N6800 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JAN2N6800
- رقم القطعة:
- JAN2N6800
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15753 Pieces
- ورقة البيانات:
- JAN2N6800.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JAN2N6800 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JAN2N6800 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-39 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-205AF Metal Can |
| اسماء اخرى: | JAN2N6800-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JAN2N6800 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 34.75nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 400V |
| وصف: | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N6800
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6802U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6251T1 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 350V 10A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6804 | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 100V 11A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N6802 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6300 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 | تحقيق |
|
JAN2N6353 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33 | تحقيق |
|
JAN2N6350 | Microsemi Corporation | TRANS NPN DARL 80V 5A TO33 | تحقيق |
|
JAN2N6308 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 350V 8A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6849U | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6898 | Microsemi Corporation | P CHANNEL MOSFET | تحقيق |
|
JAN2N6800U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 18-LCC | تحقيق |
|
JAN2N6796 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N6678 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 400V 15A TO3 | تحقيق |
|
JAN2N6849 | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N657 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 100V 0.02A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog