يشترى JANTXV1N3595-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JANTXV1N3595-1
- رقم القطعة:
- JANTXV1N3595-1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 125V 150MA DO204
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18486 Pieces
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N3595-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JANTXV1N3595-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JANTXV1N3595-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 125V |
| سرعة: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 3µs |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| اسماء اخرى: | 1086-15540-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N3595-1 |
| وصف موسع: | Diode Standard 125V 150mA (DC) Through Hole |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO204 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1nA @ 125V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 150mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N3595-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N3826DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 5.1V 1W DO213AB | تحقيق |
 |
JANTXV1N3595AUS | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA | تحقيق |
|
JANTXV1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | تحقيق |
 |
JANTXV1N3021D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 11V 1W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N3595AUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | تحقيق |
|
JANTXV1N3825DUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 4.7V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3019CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3045B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 110V 1W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N3030CUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 27V 1W DO213AB | تحقيق |
|
JANTXV1N3042D-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 82V 1W DO41 | تحقيق |
|
JANTXV1N3825A-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 16V 1W DO204AL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog