يشترى JANTXV1N5416US مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JANTXV1N5416US
- رقم القطعة:
- JANTXV1N5416US
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16367 Pieces
- ورقة البيانات:
- JANTXV1N5416US.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JANTXV1N5416US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JANTXV1N5416US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-5B |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF, B |
| اسماء اخرى: | 1086-2809 1086-2809-MIL |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV1N5416US |
| وصف موسع: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount D-5B |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 100V 3A D5B |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV1N5416US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTXV1N5417 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTXV1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | تحقيق |
 |
JANTXV1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | تحقيق |
|
JANTXV1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF | تحقيق |
|
JANTXV1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
JANTXV1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
|
JANTXV1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog