JANTXV1N5809URS
رقم القطعة:
JANTXV1N5809URS
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
17875 Pieces
ورقة البيانات:
JANTXV1N5809URS.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JANTXV1N5809URS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JANTXV1N5809URS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى JANTXV1N5809URS مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:875mV @ 4A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):100V
تجار الأجهزة حزمة:B, SQ-MELF
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:Military, MIL-PRF-19500/477
عكس وقت الاسترداد (TRR):30ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, B
اسماء اخرى:1086-19443
1086-19443-MIL
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:JANTXV1N5809URS
وصف موسع:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:5µA @ 100V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):3A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:60pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات