يشترى JANTXV2N6766T1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
JANTXV2N6766T1
- رقم القطعة:
- JANTXV2N6766T1
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15600 Pieces
- ورقة البيانات:
- JANTXV2N6766T1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل JANTXV2N6766T1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك JANTXV2N6766T1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-254AA |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/543 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| اسماء اخرى: | JANTXV2N6766T1-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | JANTXV2N6766T1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 115nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJANTXV2N6766T1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6766 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | تحقيق |
|
JANTXV2N6764 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 38A | تحقيق |
|
JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6768 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6764T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 38A | تحقيق |
|
JANTXV2N6770 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6762 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6768T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
JANTXV2N6782 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | تحقيق |
|
JANTXV2N6758 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 9A | تحقيق |
|
JANTXV2N6788 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 6A | تحقيق |
|
JANTXV2N6760 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog