KBP08G - Diodes Incorporated - الثنائيات الصمامات الجسر KBP08G - BYCHIPS

KBP08G

رقم القطعة:: KBP08G

الصانع:: Diodes Incorporated

وصف:: RECT BRIDGE GPP 800V 1.5A KBP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15485 Pieces

ورقة البيانات:: KBP08G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل KBP08G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك KBP08G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى KBP08G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - قمة عكسي (ماكس):	800V
الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1.1V @ 1.5A
تكنولوجيا:	Standard
تجار الأجهزة حزمة:	KBP
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	4-SIP, KBP
درجة حرارة التشغيل:	-65°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	8 Weeks
الصانع الجزء رقم:	KBP08G
وصف موسع:	Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole KBP
نوع الصمام الثنائي:	Single Phase
وصف:	RECT BRIDGE GPP 800V 1.5A KBP
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	5µA @ 800V
الحالي - متوسط مصحح (أيو):	1.5A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لKBP08G

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	SCAJ05FF	Semtech Corporation	BRIDGE RECT 1.5A 50V	تحقيق
	BU1210-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU	تحقيق
	GBJ3501-BP	Micro Commercial Co	IC RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBJ	تحقيق
	B380C800DM-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE BRIDGE 0.9A 600V DIP	تحقيق
	DF02SA-E3/77	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1A 200V 4SMD	تحقيق
	PBPC607	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE 6A 1000V PBPC6	تحقيق
	GBPC15005-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 15A 50V GBPC	تحقيق
	VUO30-18NO3	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 37A 1800V FO-F-B	تحقيق
	GBU8A	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 8A GBU	تحقيق
	UD2KB100-BP	Micro Commercial Co	IC BRIDGE RECT 2A 1000V D3K	تحقيق
	KBPC5002T	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 200V 50A KBPC-T/W	تحقيق

Latest الأخبار