يشترى LET20030C مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LET20030C
- رقم القطعة:
- LET20030C
- الصانع:
- ST
- وصف:
- FET RF 80V 2GHZ M243
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18694 Pieces
- ورقة البيانات:
- LET20030C.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LET20030C ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LET20030C عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 80V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | M243 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 45W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | M243 |
| اسماء اخرى: | 497-13531 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | LET20030C |
| ربح: | 13.9dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 2GHz 13.9dB 45W M243 |
| وصف: | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| التصويت الحالي: | 9A |
| الحالي - اختبار: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLET20030C
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | تحقيق |
 |
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | تحقيق |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | تحقيق |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 | تحقيق |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | تحقيق |
 |
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | تحقيق |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
475-501N44A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog