يشترى LET9045 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
LET9045
- رقم القطعة:
- LET9045
- الصانع:
- ST
- وصف:
- TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16307 Pieces
- ورقة البيانات:
- LET9045.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LET9045 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LET9045 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 80V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 59W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| اسماء اخرى: | 497-12426 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | LET9045 |
| ربح: | 17.5dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 300mA 960MHz 17.5dB 59W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| وصف: | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A |
| التصويت الحالي: | 9A |
| الحالي - اختبار: | 300mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لLET9045
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P18265HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8 | تحقيق |
 |
LET9060F | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-250 | تحقيق |
 |
150-501N04A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | تحقيق |
 |
LET9045C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | تحقيق |
|
LET9045F | STMicroelectronics | FET RF LDMOS 80V 9A M-250 | تحقيق |
 |
LET9060STR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
LET9070CB | STMicroelectronics | MOSF RF N CH 80V 12A M243 | تحقيق |
|
LET9060S | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
 |
LET9060 | STMicroelectronics | IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 | تحقيق |
 |
ARF521 | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 10A M174 | تحقيق |
 |
BF1202R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R | تحقيق |
 |
MRFE6S9200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
|
LET9060TR | STMicroelectronics | RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF | تحقيق |
|
LET9060C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 12A M-243 | تحقيق |
|
LET9045S | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
MRF7S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog