يشترى MB16M-BP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MB16M-BP
- رقم القطعة:
- MB16M-BP
- وصف:
- DIODE BRIDGE GPP 1A MB-1
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14474 Pieces
- ورقة البيانات:
- MB16M-BP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MB16M-BP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MB16M-BP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 60V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 700mV @ 1A |
| تكنولوجيا: | Schottky |
| تجار الأجهزة حزمة: | MB-1 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MB16M-BP |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 60V 1A Through Hole MB-1 |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE GPP 1A MB-1 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 500nA @ 60V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMB16M-BP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VUC36-16GO2 | IXYS | DIODE BRIDGE FAST 1600V KAMM-MOD | تحقيق |
 |
BU1010A5S-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU-5S | تحقيق |
 |
KBPC1002W-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 10A 200V KBPCW | تحقيق |
 |
CDBHD140L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 1A 40V TO-269AA | تحقيق |
|
VBO160-16NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 174A 1600V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
90MT100KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1000V 90A MTK | تحقيق |
 |
GBJ2501-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 25A 100V GBJ | تحقيق |
 |
DF1508S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 800V DF | تحقيق |
|
DF201S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 2.0A 100V DF | تحقيق |
 |
KBU4M | Fairchild/ON Semiconductor | IC BRIDGE RECT 4A 1000V KBU | تحقيق |
 |
KBP206G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 2A 600V 1PH KBP | تحقيق |
 |
2W06M | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 2A WOM | تحقيق |
|
2KBP06M-M4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 2A 600V KBPM | تحقيق |
|
VUE35-06NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE FAST 600V ECO-PAC1 | تحقيق |
 |
GBPC2504W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog