يشترى MB810-BP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MB810-BP
- رقم القطعة:
- MB810-BP
- وصف:
- RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V BR-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18210 Pieces
- ورقة البيانات:
- MB810-BP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MB810-BP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MB810-BP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.1V @ 4A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | BR-6 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, BR-6 |
| اسماء اخرى: | MB810-BPMS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MB810-BP |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole BR-6 |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V BR-6 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMB810-BP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | تحقيق |
 |
BU1008-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU | تحقيق |
 |
MB251W-BP | Micro Commercial Co | RECT BRIDGE 25A 100V WIRE LEADS | تحقيق |
|
VS-40MT160PAPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PHASE MTP | تحقيق |
 |
MB810 | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V BR-6 | تحقيق |
 |
MB156W-F | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE 600V 15A MB-W | تحقيق |
|
VS-90MT80KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK | تحقيق |
 |
W10G | Fairchild/ON Semiconductor | RECT BRIDGE GPP 1.5A 1000V WOB | تحقيق |
|
160MT120KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1200V 160A MTK | تحقيق |
 |
DB103S-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DBS | تحقيق |
 |
BU10105S-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 1000V 10A BU-5S | تحقيق |
 |
CBR1U-D010S TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 1A 100V 4SMDIP | تحقيق |
 |
VBO130-12NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 122A 1200V FO-A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog