يشترى MBR2150VG-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MBR2150VG-E1
- رقم القطعة:
- MBR2150VG-E1
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12036 Pieces
- ورقة البيانات:
- MBR2150VG-E1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MBR2150VG-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MBR2150VG-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 850mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 150V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-15 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-204AC, DO-15, Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MBR2150VG-E1 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 150V 2A Through Hole DO-15 |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 150V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBR2150VG-E1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MBR2150VGTR-E1 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15 | تحقيق |
|
MBR2150VG-G1 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15 | تحقيق |
|
MBR2150VRTR-E1 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC | تحقيق |
 |
MBR2150VRTR-G1 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY DO-214 | تحقيق |
|
MBR2150VGTR-G1 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15 | تحقيق |
 |
FR70MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5 | تحقيق |
 |
SB2G-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 2A 400V DO-214AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog