يشترى MBRD835LT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MBRD835LT4G
- رقم القطعة:
- MBRD835LT4G
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12446 Pieces
- ورقة البيانات:
- MBRD835LT4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MBRD835LT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MBRD835LT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 510mV @ 8A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 35V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK-3 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | SWITCHMODE™ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | MBRD835LT4GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MBRD835LT4G |
| وصف موسع: | Diode Schottky 35V 8A Surface Mount DPAK-3 |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.4mA @ 35V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMBRD835LT4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MBRD835LT4 | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK | تحقيق |
|
MBRD835LG | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK | تحقيق |
 |
SET061211 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 30A MODULE | تحقيق |
 |
MBR3545 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4 | تحقيق |
|
MBRD835L | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK | تحقيق |
 |
DPG10I300PA | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | تحقيق |
 |
SB320E-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD | تحقيق |
 |
MEO450-12DA | IXYS | DIODE MODULE 1.2KV 453A Y4-M6 | تحقيق |
 |
RBR3MM60ATR | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDU | تحقيق |
 |
RF051VA2STR | Rohm Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 500MA TUMD2 | تحقيق |
 |
NSB8BT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
CD214B-B260LF | Bourns Inc. | DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA | تحقيق |
 |
A330D | Powerex Inc. | DIODE STD 1200A 400V DO-200AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog