يشترى MCCD2007-TP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MCCD2007-TP
- رقم القطعة:
- MCCD2007-TP
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 7A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16967 Pieces
- ورقة البيانات:
- MCCD2007-TP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MCCD2007-TP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MCCD2007-TP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN2030-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 7A, 10V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-WFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | MCCD2007-TPMSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MCCD2007-TP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1150pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 15nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A Surface Mount DFN2030-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 7A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMCCD2007-TP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AO4924L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 9A/7.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
STS1DN45K3 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
VMM90-09P | IXYS | MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI | تحقيق |
 |
MCCD2005-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 20V 8A | تحقيق |
 |
TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | تحقيق |
 |
AUIRF7342QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTML602U12R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 | تحقيق |
|
MCCD2004-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 20V 10A | تحقيق |
 |
MMDF3N04HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
QS8M11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | تحقيق |
 |
ALD210808SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog