يشترى MGSF1N03LT3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MGSF1N03LT3G
- رقم القطعة:
- MGSF1N03LT3G
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17779 Pieces
- ورقة البيانات:
- MGSF1N03LT3G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MGSF1N03LT3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MGSF1N03LT3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 1.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 420mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MGSF1N03LT3G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 140pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMGSF1N03LT3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
|
MGSF1P02LT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 | تحقيق |
|
MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23 | تحقيق |
|
MGSF1N03LT3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
IXTQ150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P | تحقيق |
|
MGSF1N03LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
BSS84-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
|
MGSF1N02LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 | تحقيق |
 |
BUK962R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
 |
SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog