العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - واحدة > MJ11016
MJ11016
MJ11016
رقم القطعة:
MJ11016
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
14072 Pieces
ورقة البيانات:
MJ11016.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJ11016 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJ11016 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJ11016 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:4V @ 300mA, 30A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-3
سلسلة:-
السلطة - ماكس:200W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:TO-204AA, TO-3
اسماء اخرى:MJ11016OS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 200°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:MJ11016
تردد - تحول:4MHz
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3
وصف:TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:1000 @ 20A, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):1mA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):30A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMJ11016

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MJ11022G Image MJ11022G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 تحقيق
BC858B-HF Image BC858B-HF Comchip Technology TRANS PNP 30V 100MA SOT23 تحقيق
MJ11030G Image MJ11030G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 تحقيق
MJ11032 Image MJ11032 ON Semiconductor TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 تحقيق
MJ11012G Image MJ11012G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3 تحقيق
MJ11022 Image MJ11022 ON Semiconductor TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 تحقيق
JANTXV2N2905A Image JANTXV2N2905A Microsemi Corporation TRANS PNP 60V 0.6A TO39 تحقيق
MJ11032G Image MJ11032G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 تحقيق
MJ11015G Image MJ11015G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 120V 30A TO3 تحقيق
BD245B-S Image BD245B-S Bourns Inc. TRANS NPN 80V 10A تحقيق
MJ11030 Image MJ11030 ON Semiconductor TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 تحقيق
MJ11016G Image MJ11016G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 تحقيق
MJ11028G Image MJ11028G ON Semiconductor TRANS NPN DARL 60V 50A TO3 تحقيق
MJ11021 Image MJ11021 ON Semiconductor TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 تحقيق
MJ11033G Image MJ11033G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 120V 50A TO3 تحقيق
MJ11021G Image MJ11021G ON Semiconductor TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 تحقيق
BUK9Y29-40E/CX NXP USA Inc. MOSFET N-CH LFPAK تحقيق

Latest الأخبار