MJD122T4G
MJD122T4G
رقم القطعة:
MJD122T4G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16438 Pieces
ورقة البيانات:
MJD122T4G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJD122T4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJD122T4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJD122T4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):100V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:4V @ 80mA, 8A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:DPAK-3
سلسلة:-
السلطة - ماكس:1.75W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:MJD122T4GOS
MJD122T4GOS-ND
MJD122T4GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-65°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJD122T4G
تردد - تحول:4MHz
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3
وصف:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:1000 @ 4A, 4V
الحالي - جامع القطع (ماكس):10µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):8A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات