MJE700G
MJE700G
رقم القطعة:
MJE700G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19612 Pieces
ورقة البيانات:
MJE700G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJE700G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJE700G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJE700G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):60V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:2.5V @ 30mA, 1.5A
نوع الترانزستور:PNP - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-225AA
سلسلة:-
السلطة - ماكس:40W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-225AA, TO-126-3
اسماء اخرى:MJE700GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:2 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJE700G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
وصف:TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:750 @ 1.5A, 3V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):4A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات