يشترى MMRF1011HR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MMRF1011HR5
- رقم القطعة:
- MMRF1011HR5
- وصف:
- FET RF 100V 1.4GHZ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13969 Pieces
- ورقة البيانات:
- MMRF1011HR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMRF1011HR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMRF1011HR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 330W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780 |
| اسماء اخرى: | 935320386178 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MMRF1011HR5 |
| ربح: | 18dB |
| تردد: | 1.4GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 1.4GHz 18dB 330W NI-780 |
| وصف: | FET RF 100V 1.4GHZ |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMMRF1011HR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270 | تحقيق |
 |
MMRF1011HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ | تحقيق |
|
MMRF1022HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
|
MMRF1018NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | تحقيق |
|
MMRF1017NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ | تحقيق |
 |
MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
MMRF1013HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ | تحقيق |
|
MMRF1019NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
|
MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | تحقيق |
|
MMRF1013HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ | تحقيق |
|
MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 220MHZ | تحقيق |
|
MMRF1023HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L | تحقيق |
|
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ | تحقيق |
|
MMRF1016HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 225MHZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog