العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - واحدة، قبل منح > MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G
MMUN2212LT1G
رقم القطعة:
MMUN2212LT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12239 Pieces
ورقة البيانات:
MMUN2212LT1G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MMUN2212LT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MMUN2212LT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MMUN2212LT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 300µA, 10mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):22k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):22k
السلطة - ماكس:246mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:MMUN2212LT1GOS
MMUN2212LT1GOS-ND
MMUN2212LT1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:MMUN2212LT1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
وصف:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:60 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMMUN2212LT1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MMUN2212LT1 Image MMUN2212LT1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2213LT1 Image MMUN2213LT1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2211LT3G Image MMUN2211LT3G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2216LT1 Image MMUN2216LT1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2230LT1G Image MMUN2230LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2236LT1G Image MMUN2236LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 تحقيق
MMUN2214LT1G Image MMUN2214LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2216LT1G Image MMUN2216LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 تحقيق
MMUN2211LT1 Image MMUN2211LT1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2211LT1G Image MMUN2211LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2217LT1G Image MMUN2217LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 تحقيق
MMUN2213LT1G Image MMUN2213LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2215LT1G Image MMUN2215LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 تحقيق
MMUN2215LT1 Image MMUN2215LT1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2238LT1G Image MMUN2238LT1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق
MMUN2211LT3 Image MMUN2211LT3 ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 تحقيق

Latest الأخبار