يشترى MRF1535NT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF1535NT1
- رقم القطعة:
- MRF1535NT1
- وصف:
- FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12085 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF1535NT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF1535NT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF1535NT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 12.5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-272-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 35W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-272AA |
| اسماء اخرى: | 935317208528 MRF1535NT1-ND MRF1535NT1TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF1535NT1 |
| ربح: | 13.5dB |
| تردد: | 520MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 520MHz 13.5dB 35W TO-272-6 |
| وصف: | FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP |
| التصويت الحالي: | 6A |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF1535NT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF1511NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
MRF1570FNT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 470MHZ TO272-8 | تحقيق |
 |
PTFA211801F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2 | تحقيق |
 |
VRF152MP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 | تحقيق |
 |
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF1535FNT1 | NXP USA Inc. | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 | تحقيق |
|
MRF1550FNT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 | تحقيق |
|
MRF1513NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
|
MRF21010LSR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S | تحقيق |
|
MRF8S26060HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ | تحقيق |
 |
375-102N12A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
|
MRF1570NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP | تحقيق |
|
A2T09VD300NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF6G20-230PRN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
MRF1517NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
|
MRF1518NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
MRF1550NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP | تحقيق |
 |
BLF6G27L-50BN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog