يشترى MRF6V10010NR4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF6V10010NR4
- رقم القطعة:
- MRF6V10010NR4
- وصف:
- FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17738 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF6V10010NR4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF6V10010NR4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF6V10010NR4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLD-1.5 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PLD-1.5 |
| اسماء اخرى: | 935321297531 MRF6V10010NR4TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRF6V10010NR4 |
| ربح: | 25dB |
| تردد: | 1.09GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 1.09GHz 25dB 10W PLD-1.5 |
| وصف: | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF6V10010NR4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF6V14300HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ NI780S | تحقيق |
 |
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | تحقيق |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | تحقيق |
|
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF6V12500HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H | تحقيق |
|
MRF6V13250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF6V14300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF6V12500HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS | تحقيق |
|
MRF6V14300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF6V13250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF6V14300HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.4GHZ NI780 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog