يشترى MRF7S16150HR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF7S16150HR5
- رقم القطعة:
- MRF7S16150HR5
- وصف:
- FET RF 65V 1.66GHZ NI-780
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12105 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF7S16150HR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF7S16150HR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF7S16150HR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 32W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF7S16150HR5 |
| ربح: | 19.7dB |
| تردد: | 1.6GHz ~ 1.66GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.6GHz ~ 1.66GHz 19.7dB 32W NI-780 |
| وصف: | FET RF 65V 1.66GHZ NI-780 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF7S16150HR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7S18125AHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF7S16150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.66GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRF7S16150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF7S15100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.51GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | تحقيق |
|
MRF7S16150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF7S19080HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF7S18125AHSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | تحقيق |
 |
MRF7S19120NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRF7S19170HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
|
MRF7S19170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog