يشترى MRF7S21110HSR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF7S21110HSR5
- رقم القطعة:
- MRF7S21110HSR5
- وصف:
- FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17815 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF7S21110HSR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF7S21110HSR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF7S21110HSR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 33W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MRF7S21110HSR5 |
| ربح: | 17.3dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.17GHz 17.3dB 33W NI-780S |
| وصف: | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF7S21110HSR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7S21110HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF7S21150HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRF7S21110HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF7S21150HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRF7S21170HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | تحقيق |
|
MRF7S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF7S21170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | تحقيق |
|
MRF7S21110HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF7S21150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S | تحقيق |
|
MRF7S21170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-88OS | تحقيق |
|
MRF7S21210HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | تحقيق |
|
MRF7S21170HS | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog