يشترى MRF8S21100HSR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF8S21100HSR3
- رقم القطعة:
- MRF8S21100HSR3
- وصف:
- FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17460 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF8S21100HSR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF8S21100HSR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF8S21100HSR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 24W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S |
| اسماء اخرى: | 935314141128 MRF8S21100HSR3TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRF8S21100HSR3 |
| ربح: | 18.3dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 2.17GHz 18.3dB 24W NI-780S |
| وصف: | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 700mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF8S21100HSR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | تحقيق |
|
MRF8S21140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF8S21120HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | تحقيق |
|
MRF8S21100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | تحقيق |
 |
MRF8S21120HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | تحقيق |
|
MRF8S21140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780 | تحقيق |
|
MRF8S21140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | تحقيق |
 |
MRF8S21200HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS | تحقيق |
|
MRF8S21100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780H | تحقيق |
|
MRF8S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI780S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog