العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > MRFE6P3300HR3
MRFE6P3300HR3
رقم القطعة:
MRFE6P3300HR3
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
FET RF 66V 863MHZ NI-860C3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14993 Pieces
ورقة البيانات:
MRFE6P3300HR3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRFE6P3300HR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRFE6P3300HR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MRFE6P3300HR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:32V
الجهد - تقييمه:66V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:NI-860C3
سلسلة:-
مخرج قوي:270W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:NI-860C3
اسماء اخرى:935309635128
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:MRFE6P3300HR3
ربح:20.4dB
تردد:857MHz ~ 863MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 32V 1.6A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
وصف:FET RF 66V 863MHZ NI-860C3
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:1.6A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMRFE6P3300HR3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRFE6VP61K25HR6 Image MRFE6VP61K25HR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 تحقيق
MRFE6S9135HR5 Image MRFE6S9135HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 940MHZ NI-880 تحقيق
MRFE6S9130HR5 Image MRFE6S9130HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 تحقيق
MRFE6S9201HR3 Image MRFE6S9201HR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 تحقيق
MRFE6VP5600HSR6 Image MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S تحقيق
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 600W 50V تحقيق
MRFE6VS25GNR1 Image MRFE6VS25GNR1 NXP USA Inc. FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 تحقيق
MRFE6VP6300HR3 Image MRFE6VP6300HR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 تحقيق
MRFE6S9046GNR1 Image MRFE6S9046GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 تحقيق
MRFE6P3300HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 تحقيق
MRFE6VP61K25GNR6 Image MRFE6VP61K25GNR6 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 1250W 50V تحقيق
MRFE6VP61K25HR5 Image MRFE6VP61K25HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 تحقيق
MRFE6VP6300HSR3 Image MRFE6VP6300HSR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 تحقيق
MRFE6VP6300HSR5 Image MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 تحقيق
MRFE6S9200HR5 Image MRFE6S9200HR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-880 تحقيق
MRFE6S9201HSR5 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780S تحقيق
MRFE6S9045GNR1 Image MRFE6S9045GNR1 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 تحقيق

Latest الأخبار