يشترى MSRT200160(A) مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MSRT200160(A)
- رقم القطعة:
- MSRT200160(A)
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16809 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.MSRT200160(A).pdf2.MSRT200160(A).pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MSRT200160(A) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MSRT200160(A) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.2V @ 200A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1600V (1.6kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Three Tower |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Three Tower |
| اسماء اخرى: | MSRT200160(A)GN MSRT200160A |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MSRT200160(A) |
| وصف موسع: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600V (1.6kV) 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Cathode |
| وصف: | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMSRT200160(A)
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | تحقيق |
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog