MSRTA200160(A)D - GeneSiC Semiconductor - الثنائيات-المعايرة-صفائف MSRTA200160(A)D

MSRTA200160(A)D

رقم القطعة:: MSRTA200160(A)D

الصانع:: GeneSiC Semiconductor

وصف:: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16928 Pieces

ورقة البيانات:: MSRTA200160(A)D.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MSRTA200160(A)D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MSRTA200160(A)D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى MSRTA200160(A)D مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:	1.1V @ 200A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):	1600V (1.6kV)
تجار الأجهزة حزمة:	Three Tower
سرعة:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	Three Tower
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:	-55°C ~ 150°C
تصاعد نوع:	Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	10 Weeks
الصانع الجزء رقم:	MSRTA200160(A)D
وصف موسع:	Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600V (1.6kV) 200A Chassis Mount Three Tower
نوع الصمام الثنائي:	Standard
تكوين الصمام الثنائي:	1 Pair Series Connection
وصف:	DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:	10µA @ 1600V
التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود):	200A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMSRTA200160(A)D

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MSRTA200120(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER	تحقيق
MSRTA600140(A)	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER	تحقيق
MSRTA200100(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER	تحقيق
MSRTA300160(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER	تحقيق
MSRTA200140(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER	تحقيق
MSRTA20060(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER	تحقيق
MSRTA20080(A)D	GeneSiC Semiconductor	DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار