العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة IC > ذاكرة > MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
رقم القطعة:
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14227 Pieces
ورقة البيانات:
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:1.7 V ~ 1.95 V
تجار الأجهزة حزمة:168-WFBGA (12x12)
سرعة:200MHz
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:168-WFBGA
درجة حرارة التشغيل:-25°C ~ 85°C (TA)
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:4Gb (128M x 32)
تنسيق الذاكرة:DRAM
الصانع الجزء رقم:MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
السطح البيني:Parallel
وصف:IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 240WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Image MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 208MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Image MT46H128M32L2KQ-5 IT:A Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA تحقيق
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA تحقيق

Latest الأخبار