يشترى MTB30P06VT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MTB30P06VT4
- رقم القطعة:
- MTB30P06VT4
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13363 Pieces
- ورقة البيانات:
- MTB30P06VT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MTB30P06VT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MTB30P06VT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 80 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | MTB30P06VT4OS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MTB30P06VT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2190pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMTB30P06VT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTC230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
MTB30P06VT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | تحقيق |
 |
FDMS8023S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | تحقيق |
 |
DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3 | تحقيق |
 |
RZM001P02T2L | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 | تحقيق |
 |
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | تحقيق |
|
IRF730STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTT20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | تحقيق |
 |
STWA88N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 | تحقيق |
 |
SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | تحقيق |
 |
IXFH60N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 | تحقيق |
 |
IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 | تحقيق |
 |
STP5NB40 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 4.7A TO-220 | تحقيق |
 |
FQPF12N60T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F | تحقيق |
 |
APTM50DAM17G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 180A SP6 | تحقيق |
 |
FQI6N15TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK | تحقيق |
 |
IRFI720G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers