يشترى MTD5P06VT4GV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MTD5P06VT4GV
- رقم القطعة:
- MTD5P06VT4GV
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16892 Pieces
- ورقة البيانات:
- MTD5P06VT4GV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MTD5P06VT4GV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MTD5P06VT4GV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 2.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MTD5P06VT4GV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 510pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMTD5P06VT4GV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | تحقيق |
 |
SIHW47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD | تحقيق |
 |
STD1NK60-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | تحقيق |
 |
MTD5P06VT4 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK | تحقيق |
|
MTD5P06VT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5A DPAK | تحقيق |
 |
DMN3024LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK | تحقيق |
 |
IPA65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | تحقيق |
 |
IPP120N20NFDAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A TO220 | تحقيق |
 |
TPH8R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 80V 34A SOP | تحقيق |
 |
IRFS7537TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 60V 173A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFR3706PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | تحقيق |
 |
CSD19538Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP | تحقيق |
 |
IRF7342D2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog